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J-GLOBAL ID：200903071038240560
薄膜形成方法および装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242188
Publication number (International publication number)：1995070749
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 形成される薄膜の光学特性や成膜速度を長期的に安定化させる。また基板の材料を限定する必要なしに良好な薄膜が得られるようにする。さらに、簡便化、生産性や信頼性の向上等を図る。【構成】 真空室1内においてスパッタリングにより薄膜を形成する方法において、成膜中の真空室内のH2 O分圧が所定値となるように制御する。あるいは、真空室内で、プラズマを発生させ、これを利用して酸化物薄膜を形成する方法において、薄膜形成時には、前記真空室内にH2 O、H2 O2 もしくはそれらの混合物を強制的に供給し、かつ前記真空室内に設けた任意の数の放電電極に30〜300メガヘルツの高周波電力を印加する。
Claim (excerpt)：
真空室内においてスパッタリングにより薄膜を形成する方法において、成膜中の真空室内のH2 O分圧が所定値となるように制御することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3)：
C23C 14/34
, C23C 14/54
, G02B 1/11
Cited by examiner (9)
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