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J-GLOBAL ID:200903071039038528

ユニットキャパシタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤村 元彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994200968
Publication number (International publication number):1996064764
Application date: Aug. 25, 1994
Publication date: Mar. 08, 1996
Summary:
【要約】【目的】 キャパシタアレーの高密度実装を実現することが出来るユニットキャパシタを提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に付着形成された第1電極層と、この第1電極層に平行して形成された第2電極層とを有するユニットキャパシタにおいて、上記第2電極層の端面から放射される電気力線を吸収するための電気力線吸収手段を設ける。
Claim (excerpt):
半導体基板上に付着形成された第1電極層と、前記第1電極層に平行して形成された第2電極層とを有するユニットキャパシタであって、前記第2電極層の端面から放射される電気力線を吸収する電気力線吸収手段を設けたことを特徴とするユニットキャパシタ。
IPC (2):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 半導体集積回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-252365   Applicant:富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
  • 特開昭60-060751

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