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J-GLOBAL ID：200903071040508384

半導体装置の製造方法、及び半導体装置

Inventor： 早藤 紀生 ,  山本 佳嗣
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215843
Publication number (International publication number)：1996083902
Application date： Sep. 09, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 所望の電気的特性を備えた、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 MBE装置内において、S.I.-InP半導体基板1上に,i-AlInAs層2,SiドープAlInAs層3を順次形成して半導体積層構造を得た後、該半導体積層構造をMBE装置より取り出し、これを窒素雰囲気中で400°Cで18分間熱処理することによりSiドープAlInAs層3にフッ素を混入させて、該SiドープAlInAs層3の電気的特性を劣化させ、さらに上記半導体積層構造をMBE装置に入れ、超高真空中で400°Cで7分間の熱処理を行い、上記SiドープAlInAs層3に混入したフッ素を除去した。

Claim (excerpt)：

不純物をドープしたAl,In,及びAsを構成元素として含む,AlInAs構成元素層を形成する工程と、上記AlInAs構成元素層を熱処理することにより、該AlInAs構成元素層にフッ素を混入する工程と、上記熱処理を行った後、再度熱処理を行うことにより上記AlInAs構成元素層中のフッ素を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812