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J-GLOBAL ID：200903071050021424

CVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法

Inventor： 多田 国弘
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996101199
Publication number (International publication number)：1997289179
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】CVD-Ti成膜の際にチャンバーに付着した堆積物を有効に除去することができるCVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法を提供すること。【解決手段】TiCl4 ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜する成膜チャンバーのクリーニング方法は、チャンバー内にH2 ガスを含むガスのプラズマを励起させ、チャンバー壁に付着した堆積物をTiに変化させる工程と、その後、チャンバー内にClF3 ガスを導入する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

TiCl4 ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜する成膜チャンバーのクリーニング方法であって、チャンバー内にH2 ガスを含むガスのプラズマを励起させ、チャンバー壁に付着した堆積物をTiに変化させる工程と、その後、チャンバー内にClF3 ガスを導入する工程と、を有することを特徴とするCVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/44

FI (3)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 J