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J-GLOBAL ID:200903071050021424
CVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996101199
Publication number (International publication number):1997289179
Application date: Apr. 23, 1996
Publication date: Nov. 04, 1997
Summary:
【要約】【課題】CVD-Ti成膜の際にチャンバーに付着した堆積物を有効に除去することができるCVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法を提供すること。【解決手段】TiCl4 ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜する成膜チャンバーのクリーニング方法は、チャンバー内にH2 ガスを含むガスのプラズマを励起させ、チャンバー壁に付着した堆積物をTiに変化させる工程と、その後、チャンバー内にClF3 ガスを導入する工程とを有する。
Claim (excerpt):
TiCl4 ガスを用いてCVDによりTi膜を成膜する成膜チャンバーのクリーニング方法であって、チャンバー内にH2 ガスを含むガスのプラズマを励起させ、チャンバー壁に付着した堆積物をTiに変化させる工程と、その後、チャンバー内にClF3 ガスを導入する工程と、を有することを特徴とするCVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法。
IPC (3):
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, C23C 16/44
FI (3):
H01L 21/285 301 R
, H01L 21/285 C
, C23C 16/44 J
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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ECRプラズマCVD法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-146069
Applicant:ソニー株式会社
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半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-165714
Applicant:富士通株式会社
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