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J-GLOBAL ID：200903071050082890
化学元素の受容材料中への導入方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中島 淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997132630
Publication number (International publication number)：1998050624
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 レーザソースを用いて電子材料に低温で選択的にドープする方法を提供する。【解決手段】 化学元素を受容材料中に導入する方法であって:前記受容材料に近接してレーザエネルギーを吸収するソース膜102を配するステップを有し、前記ソース膜102が前記化学元素を含み;前記ソース膜をレーザソース100で照射するステップを有し、前記レーザソースが前記ソース膜をアブレーションして前記受容材料の表面層を溶融し;前記ソース膜からアブレーションされる前記化学元素を前記溶融面層中に導入するステップを有し;前記表面層の電気特性を変えるステップを有する。
Claim (excerpt)：
化学元素を受容材料中に導入する方法であって、前記受容材料に近接してレーザエネルギーを吸収するソース膜を配するステップを有し、前記ソース膜が前記化学元素を含み、前記ソース膜をレーザソースで照射するステップを有し、前記レーザソースが前記ソース膜をアブレーションして前記受容材料の表面層を溶融し、前記ソース膜からアブレーションされる前記化学元素を前記溶融面層中に導入するステップを有し、前記表面層の電気特性を変えるステップを有する、化学元素の受容材料中への導入方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/22 E
, H01L 21/268 F
