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J-GLOBAL ID：200903071057388234

集積回路

Inventor： 石谷 明彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044282
Publication number (International publication number)：1993243487
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】多結晶シリコン上に酸化物高誘電体材料膜を形成すると、界面に酸化シリコン層が形成されて、実効的な誘電率が低下する。この酸化シリコン層の形成を防ぎ容量値の高いキャパシタを有する集積回路を提供する。【構成】多結晶シリコンの下部電極3の上に、熱窒化法により窒化シリコン4を形成した後、BaTiO3 膜5を形成し、更に上部電極6を設けてキャパシタを構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された多結晶シリコン膜からなる下部電極と、この下部電極上に形成された窒化シリコン膜とABO3 型(A:Sr,BaまたはLi、B:TiまたはNb、O:酸素)複合酸化物膜からなる積層型絶縁膜と、この積層型絶縁膜上に形成された上部電極とを含むことを特徴とする集積回路。