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J-GLOBAL ID：200903071062500077

集積回路及びその製造方法

Inventor： イジック シー.キジルヤリー
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319055
Publication number (International publication number)：1997181012
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、基板11上にゲート13,15を形成するステップと、基板11をインジウムドーパント種21にさらし、このインジウムが基板を貫通し、少なくともソース19とドレイン17の部分を形成するステップとを含む。インジウムは、低ドープドレイントランジスタの浅い部分として使用される。

Claim (excerpt)：

(A) 基板(11)上にゲート(13,15)を形成するステップと、(B) 前記基板(11)にインジウムドーパント種(21)を注入し、ソースとドレイン領域(17,19)を形成するステップとを含み、前記インジウムは前記基板(11)を貫通する、ことを特徴とする集積回路の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/265 L ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 L