Pat

J-GLOBAL ID：200903071070626330

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 長嶋 隆 ,  原田 秀樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993101682
Publication number (International publication number)：1994314686
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、高集積化を阻害することなく下地へのカバレッジを良好にすることができるとともに、膜質を緻密にすることができるカバー膜を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 塗布法によって形成された無機シラザンを含有するシリコン窒化膜又はシリコン酸化窒化膜からなるカバー膜を有するように構成する。

Claim (excerpt)：

塗布法によって形成された無機シリコン窒化膜又は無機シリコン酸化窒化膜からなるカバー膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/314