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J-GLOBAL ID：200903071075229305

薄膜形成方法及びその装置

Inventor： 加藤 隆男
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000001009
Publication number (International publication number)：2001192855
Application date： Jan. 06, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 下地層の材質に拘わらず、例えば絶縁膜の表面に密着性良く均一に成膜して、微細な凹部の内部であっても、この内部に確実に埋込むことができるようにした薄膜形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】 少なくとも一部が金属からなる超微粒子を溶媒中に分散させた超微粒子分散液を用意する工程と、超微粒子分散液を真空雰囲気中で噴射ノズルから基板表面に向けて噴射し、該超微粒子分散液に含まれる溶媒を蒸発させて基板表面に衝突させる工程と、該基板表面に衝突する超微粒子の少なくとも一部を構成する金属を基板表面で結合させる工程とを有する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部が金属からなる超微粒子を溶媒中に分散させた超微粒子分散液を用意する工程と、前記超微粒子分散液を真空雰囲気中で噴射ノズルから基板表面に向けて噴射し、該超微粒子分散液に含まれる溶媒を蒸発させて基板表面に衝突させる工程と、該基板表面に衝突する超微粒子の少なくとも一部を構成する金属を基板表面で結合させる工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 24/00 ,  H01L 21/288

FI (2)：

C23C 24/00 ,  H01L 21/288 Z

F-Term (24)：

4K044BA01 ,  4K044BC14 ,  4K044CA21 ,  4K044CA25 ,  4K044CA41 ,  4K044CA53 ,  4K044CA57 ,  4K044CA71 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104HH13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-066706   Applicant：工業技術院長, 新技術事業団