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J-GLOBAL ID：200903071082743723
マイクロ波プラズマCVD装置及び堆積膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993227305
Publication number (International publication number)：1995090591
Application date： Sep. 13, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 マイクロ波導波管とプラズマ発生室間の壁に薄膜が付くためにマイクロ波が薄膜に吸収され、こまめに装置メンテナンスしなければならないという問題の解消、及び高速な堆積膜形成を可能にする。【構成】 従来大気圧だったマイクロ波導波管103をプラズマ発生室101及びスロット107を通じて減圧可能にし、マイクロ波導波管とプラズマ発生室の間の壁を取り去る。またプラズマ発生用ガス導入口108をマイクロ波導波管に移動させる。それにより、マイクロ波導波管はプラズマ発生室より圧力が大きくなりプラズマ発生室のみでプラズマが生成する。【効果】 マイクロ波導波管とプラズマ発生室間の壁が必ずしも必要でなくなり、装置のメンテナンスサイクルが、従来に比べ10倍以上長くなる。
Claim (excerpt)：
排気手段によりプラズマ発生室を減圧させ、該プラズマ発生室に接続されたマイクロ波導波管を介して前記プラズマ発生室内にマイクロ波エネルギーを供給し、前記プラズマ発生室内もしくは該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD装置において、前記導波管には複数のスロットが前記プラズマ発生室側の面に形成されていて、前記プラズマを発生させるガスを前記スロットを介して前記プラズマ発生室内に導入するようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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