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J-GLOBAL ID：200903071096279841
成膜方法及び成膜装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035762
Publication number (International publication number)：1994252059
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 堆積膜の層厚方向で濃度や組成を連続的に変化させることが可能で、且つ安定して高品質の膜質が得られる成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とする。【構成】 化学的気相成長を起こし且つターゲット材をスパッタリングするガスの導入口を有する密閉容器と、該容器内に設けられた少なくとも2つの電極と、該電極の内第1及び第2の電極にそれぞれターゲット材及び基体を保持するための手段と、第1及び第2の電極に接続され、異なる周波数を有する2つの高周波電源とからなる成膜装置、並びに該容器内に前記ガスを導入し、第1及び第2の電極にそれぞれ異なる周波数の高周波電力を印加してプラズマを発生させ、ターゲットの直流電位を制御しつつ成膜を行うことにより、ターゲット材の構成原子の少なくとも1種以上と前記ガスの構成原子の少なくとも1種以上とを含有した堆積膜を基体上に形成することを特徴とする成膜方法。
Claim (excerpt)：
密閉容器内に設けられた第1及び第2の電極にそれぞれターゲット材及び基体を配置し、該密閉容器内に化学的気相成長を起こし且つ前記ターゲット材をスパッタリングするガスを導入し、前記第1及び第2の電極にそれぞれ異なる周波数の高周波電力を印加してプラズマを発生させ、基体上に堆積膜を形成する成膜方法であって、前記ターゲットの直流電位を制御しつつ成膜を行うことにより、前記ターゲット材の構成原子の少なくとも1種以上と前記ガスの構成原子の少なくとも1種以上とを含有した堆積膜を前記基体上に形成することを特徴とする成膜方法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/285
, H01L 21/31
