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J-GLOBAL ID：200903071096687818
半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992164620
Publication number (International publication number)：1993198896
Application date： Jun. 23, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は特性に優れ、作成の容易性構造の自由度の高い波長制御型半導体レーザの提供を目的とする。【構成】 周期的な凹凸構造106を有する半導体基板101上に平坦状に、かつ利得分布及び/又は屈折率分布が凹凸構造106を反映して周期的に分布するように光導波領域あるいは発光領域をエピタキシャル成長させることにより、波長制御型半導体レーザを作製することを特徴としている。
Claim (excerpt)：
活性層を含む導波領域と、該導波領域により導波される光又は電子の電界強度分布と、該分布のとどかない凹凸部と、からなり、前記凹凸分布が前記導波領域に利得分布及び/又は屈折率分布を与えてなることを特徴とする半導体素子。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 29/68
, H01L 27/15
Cited by examiner (5)
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