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J-GLOBAL ID：200903071109540625

電界効果型トランジスタ

Inventor： 板垣 奈穂 ,  岩崎 達哉 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006224309
Publication number (International publication number)：2007281409
Application date： Aug. 21, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】 トランジスタに好適な組成の酸化物を提供する。【解決手段】 チャネルを構成する酸化物半導体材料が、InとZnを含んでおり、In/(In+Zn)で表される原子組成比率が、35原子%以上55原子%以下であり、且つ該酸化物半導体材料におけるGa/(In+Zn+Ga)で表される原子組成比率が30原子%以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】 図18

Claim (excerpt)：

電界効果型トランジスタにおいて、 チャネルを構成する酸化物半導体材料が、InとZnを含んでおり、In/(In+Zn)で表される原子組成比率が、35原子%以上55原子%以下であり、且つ 該酸化物半導体材料におけるGa/(In+Zn+Ga)で表される原子組成比率が30原子%以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (24)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325371   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-222246   Applicant：富士フイルムホールディングス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 高性能フレキシブルTFT実現のためのアモルファス酸化物半導体の材料設計 Materials Design of Amorphou

Cited by examiner (1)

• 高性能フレキシブルTFT実現のためのアモルファス酸化物半導体の材料設計 Materials Design of Amorphou