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J-GLOBAL ID：200903071119032520

半導体装置の製造方法

Inventor： 大川 章 ,  堤 芳紹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998263702
Publication number (International publication number)：2000100802
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 MOCVD法によりBST膜や金属膜を形成する。【解決手段】 BST膜を形成するためのMOCVD装置10はスワール気化器30を備えている。真空排気された処理室11にウエハ1を配置し、液状原料51、52、53をスワール気化器30によって微粒化かつ旋回流化させて噴霧させ、ウエハ1にBST膜を形成する。液状原料としてメタノールに溶解されたBa(METHD)2 、Sr(METHD)2 、Ti(MPD)(THD)2 を使用する。【効果】 液状原料を微粒化かつ旋回流化させて噴霧できるため、液状原料を充分に気化させた状態でウエハに供給することができ、その結果、BST膜を効率よく形成できる。MOCVD法でBST膜を形成することにより、膜質のよいキャパシタを生産性よく形成できる。

Claim (excerpt)：

真空排気された処理室にウエハを配置し、液状原料をスワール気化器によって微粒化かつ旋回流化させて前記ウエハに供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/448

FI (3)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/44 C

F-Term (22)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA24 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045CB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EE05 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01 ,  5F045EF11