高選択比かつ大面積高均一プラズマ処理方法及び装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：八木田茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002086352
Publication number (International publication number)：2003282547
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】パルス変調プラズマを用いた高選択・大面積高精度プラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ発生電源と基板バイアス電源に相互に印加するように構成される。また、本発明のプラズマ処理装置は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ生成部及び基板電極に相互に印加する変調手段をプラズマ発生電源及び基板バイアス電源に設けられる。

Claim (excerpt)：

真空容器内のプラズマ生成部に、高周波アンテナ回路及び高周波アンテナ回路に接続したプラズマ発生用電源を用いてプラズマを発生させ、真空容器内において基板バイアス電源から変調された基板バイアスを印加される基板電極上の基板をプラズマ処理する方法において、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ発生電源と基板バイアス電源に相互に印加することを特徴とする高選択比かつ大面積高均一プラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2)：

H05H 1/46 L , H01L 21/302 101 C

F-Term (6)：

5F004AA02 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BD04 , 5F004CA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-244688 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマエッチング方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-248583 Applicant：国際電気株式会社, 堀池靖浩
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-177071 Applicant：松下電子工業株式会社

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