Pat

J-GLOBAL ID：200903071122338991

半導体レーザ装置

Inventor： 平本 清久 ,  佐川みすず ,  土屋 朋信 ,  豊中 隆司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994189241
Publication number (International publication number)：1996056045
Application date： Aug. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 GaAs基板上に形成され、少なくとも1層の光を発生するInGaAs量子井戸層を有する半導体レーザの素子特性を改善し、信頼性を向上すること。【構成】 GaAs基板と、該GaAs基板上に形成された少なくとも1層の光を発生するInGaAs量子井戸層14と、InGaAsP又はAlGaInP又はAlGaInAs又はGaAs障壁層12,16と、上記InGaAs量子井戸層と上記障壁層の間に形成された上記2層の中間の格子定数を有するInGaAsP又はAlGaInP又はAlGaInAs層13,15から構成される。【効果】 本発明により活性層に注入したキャリアの量子井戸層から障壁層への漏れが低減し、活性層からのInの拡散が防止され、また活性層におけるヘテロ界面での歪量の差が低減することにより、素子特性及び信頼性を向上することができる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に形成され、少なくとも1層の光を発生するInGaAs量子井戸層と、該量子井戸層よりも屈折率が小さく且つ禁制帯幅の大きいクラッド層と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造から構成される半導体レーザ装置において、上記InGaAs量子井戸層の両側又は片側一方に隣接して少なくとも1層のIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>層(但し0≦y<1)が形成され、該In<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>層の格子定数がGaAsよりも大きく、上記InGaAsよりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。