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J-GLOBAL ID：200903071124779065

TiN膜の形成方法

Inventor： 原田 裕介
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992288903
Publication number (International publication number)：1994140360
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 W埋め込みコンタクトにおいて、TiN膜からなるWの密着層を、カバレージの良いECRプラズマCVD法で形成し、低抵抗なコンタクトが形成できるTiN膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 ECRプラズマCVD法でTiN膜を形成する際に、反応チャンバー内に先づTiを含むガスを流し、次にNを含むガスを流すようにしたものである。

Claim (excerpt)：

導電性のTiN膜を形成する方法であって、ECR(Electron Cyclotoron Resonance)によるプラズマを発生させたチャンバー内に、先にTiを含むガスを導入し、続いてNを含むガスを導入することを特徴とするTiN膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205