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J-GLOBAL ID：200903071128749101

窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法およびそれにより製造された半導体装置

Inventor： 土方 俊樹 ,  矢野 盛規
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999106395
Publication number (International publication number)：2000299496
Application date： Apr. 14, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ドット構造の制御が困難なIn非飽和混合の性質を有する窒化ガリウム系化合物半導体において、ドットの寸法、密度を制御して半導体装置の性能を向上する。【解決手段】 ドット構造を形成する手段として、結晶成長時に形成する自己形成型手法を窒化ガリウム系化合物に適用するにおいて、酸素を導入することにより、自然発生的形成に比べ、ドットの寸法や密度を恣意的に制御する。

Claim (excerpt)：

基板表面にエピタキシャル成長された窒化ガリウム系化合物半導体からなる少なくとも1層の活性層を有し、該活性層には粒状の領域を含み、活性層の構成元素の組成比と粒状の領域の構成元素の組成比とは異なっているドット構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法において、活性層のエピタキシャル成長の開始前から成長終了までの少なくともある期間に、反応容器中に酸素あるいは酸素を含む化合物ガスを流す工程を含むことを特徴とするドット構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673

F-Term (37)：

5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA54 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF05 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F045DA59 ,  5F045EB15 ,  5F045EE17 ,  5F045EF08 ,  5F045EK03 ,  5F045EM09 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29