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J-GLOBAL ID：200903071154785990

GaP系発光素子基板の製造方法

Inventor： 大滝 紀夫 ,  中村 秋夫 ,  柳澤 宗久 ,  田村 雄輝 ,  樋口 晋
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242659
Publication number (International publication number)：1994069542
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高輝度の発光素子を製造することができるGaP系発光素子基板の製造方法を提供する。【構成】 GaP基板上にGaPエピタキシャル成長用Ga溶液を配置し、窒素ドープを行いながらn型GaP層を0.6(μm/分)以上の成長速度で成長させる。前記成長速度を得る条件としては、例えばGaPエピタキシャル成長用Ga溶液の厚さを1.7mm以上とし、エピタキシャル成長用Ga溶液を含む系を2.5(°C/分)以上の降温速度で降温させながら成長させる。

Claim (excerpt)：

n型GaP基板の一主面に接するようにGaPエピタキシャル成長用Ga溶液を配置し、液相エピタキシャル成長法によりn型GaP層を前記n型GaP基板の前記一主面上に成長させる工程を含む、GaP系発光素子基板の製造方法において、窒素ドープを行いながら前記n型GaP層を0.6(μm/分)以上の成長速度で成長させることを特徴とするGaP系発光素子基板の製造方法。