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J-GLOBAL ID：200903071168046219

半導体レーザ

Inventor： 山本 剛之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992315202
Publication number (International publication number)：1994164069
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多重量子井戸構造の活性層を有するInGaAsP/InP系半導体レーザに関し、正孔の不均一注入が引き起こす量子井戸活性層の総合利得Gの低下を補償できるInGaAsP/InP系多重量子井戸型レーザを提供することを目的とする。【構成】 少なくとも2層以上のInGaAsP系量子井戸層を有する多重量子井戸構造の活性層と活性層を挟むp型層とn型層を有する半導体レーザであって、正孔の不均一注入による利得のピーク波長の変化を補償するように、p型層側の量子井戸層の組成または層厚の少なくとも一方が、よりn型層側の少なくとも1つの量子井戸層の実効的バンドギャップよりも狭い実効的バンドギャップを有するように選択されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも2層以上のInGaAsP系量子井戸層(8、18)を有する多重量子井戸構造(4、14)の活性層と、活性層を挟むp型層(5、15)とn型層(3、13)を有する半導体レーザであって、正孔の不均一注入による利得のピーク波長の変化を補償するように、p型層側の量子井戸層(8e、18c)の組成または層厚の少なくとも一方が、n型層側の少なくとも1つの量子井戸層(8a、18a)の実効的バンドギャップよりも狭い実効的バンドギャップを有するように選択されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/06