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J-GLOBAL ID：200903071191987675

半導体装置

Inventor： 奥村 信夫
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992240603
Publication number (International publication number)：1994090007
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 データ書込み前は同一特性を示すMNOS型の2つの半導体素子に、データ書込み後に異なる動作特性を呈させることで不揮発性メモリの多機能化を実現する。【構成】 MNOS型の電界効果トランジスタであって、SiO2 膜13a の膜厚を3.0nm 以下としたMNOS型の電界効果トランジスタ1と、SiO2 膜23a の膜厚を3.5nm 以上としたMNOS型の電界効果トランジスタ2とを同一の基板4上に相互に絶縁領域3を隔てて配置する。

Claim (excerpt)：

MNOS(Metal Nitride Oxide Semiconductor) 型の素子を有する半導体装置において、少なくとも膜厚を3.0nm 以下のオキサイド膜を有するMNOS型の素子と、膜厚が3.5 nm以上のオキサイド膜を有するMNOS型の素子とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/088

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 102 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-124965
  
• 特開昭50-000779
  
• 特開昭62-081766