Pat
J-GLOBAL ID：200903071196303235
無機多孔質膜の製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (2)：
北村 修 (外1名)
, 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040816
Publication number (International publication number)：1997227113
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 より細孔の孔径を均一に形成し、高い特性を有する無機多孔質膜を容易に製造する方法を提供すること。【解決手段】 アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン、アミン類から選ばれる少なくとも一種からなるテンプレート剤、及び、水及び触媒量の酸を含むアルコキシシラン類溶液を主材としてなり、かつ、水とアルコキシシラン類とのモル比率(H2O/Si)が4以下であるpH1〜2.5の無機材料組成物を、無機多孔質支持体上に塗布、乾燥して非結晶性塗膜を形成する塗膜形成工程、及び、前記非結晶性塗膜を前記加水分解による結晶化をさせない低温かつ常圧の条件下で加熱処理する加熱工程を行う。
Claim (excerpt)：
アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン、アミン類から選ばれる少なくとも一種からなるテンプレート剤、及び、水及び触媒量の酸を含むアルコキシシラン類溶液を主材としてなり、かつ、水とアルコキシシラン類とのモル比率(H2O/Si)が4以下であるpH1〜2.5の無機材料組成物を、無機多孔質支持体上に塗布、乾燥して非結晶性塗膜を形成する塗膜形成工程、及び、前記非結晶性塗膜を前記加水分解による結晶化をさせない低温かつ常圧の条件下で加熱処理する加熱工程を行う無機多孔質膜の製造方法。
IPC (4)：
C01B 33/12
, B01D 53/22
, B01D 71/02 500
, C04B 41/85
C01B 33/12 C
, B01D 53/22
, B01D 71/02 500
, C04B 41/85 C
