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J-GLOBAL ID：200903071209591995

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
大澤 明彦

About 大澤 明彦


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000093461
Publication number (International publication number)：2001284584
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ゲートトレンチのコーナー部やベース領域の先端部分電界集中を緩和し耐圧を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ベース領域5の一部に縦方向にベース領域の他の部分より不純物濃度の低い不純物拡散領域9を形成する。この不純物拡散領域9を形成することによりベース領域側に空乏層を伸ばして耐圧を向上させることができる。ベース領域の一部に導電膜10が埋め込まれたトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、この半導体基板に接し、第1の面とこの第1の面と対向する第2の面とを有する第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層に形成され、前記第2の面に部分的に露出する第1導電型ドレイン領域と、前記ドレイン領域に形成され、部分的に前記第2の面に露出する第2導電型ベース領域と、前記ベース領域に形成され、前記第2の面に露出する第1導電型ソース領域と、導電層又は絶縁層もしくは導電層及び絶縁層が埋め込まれ、前記ベース領域が露出する前記第2の面から前記ドレイン領域の内部に達するトレンチと、前記トレンチの前記ドレイン領域内部に形成された部分の側壁周辺に形成され、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第2導電型不純物拡散領域と、前記第2の面上に形成され、且つ前記ベース領域を介して前記ドレイン領域及び前記ソース領域の一部を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655
FI (5)：
H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 655 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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