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J-GLOBAL ID：200903071224603894

非ベンゼノイド炭素系材料の製造法

Inventor： 金子 友彦 ,  大谷 杉郎
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238576
Publication number (International publication number)：1995089705
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】 非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物を、少くとも2個の反応性アルキル基を有する芳香族化合物と反応させ、次いで生成される高分子化合物を熱処理する。この方法によって炭素層面間隔d(002) 3.7Å以上の炭素系材料を得る。【効果】 二次電池電極材料、触媒等のホスト材料として有用な、面間隔の大きな炭素材が実現される。

Claim (excerpt)：

非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物を、環形成炭素の少くとも2個に反応性アルキル基を有する単環または縮合多環の芳香族化合物と反応させ、次いで、生成された高分子化合物を熱処理することを特徴とする非ベンゼノイド炭素系材料の製造法。