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J-GLOBAL ID：200903071232053771

薄膜の形成方法

Inventor： 中野 裕 ,  梶 成彦 ,  矢吹 宗 ,  中田 錬平
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994211442
Publication number (International publication number)：1996078407
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 有機シランとO3との反応によるCVD-SiO2膜を段差被覆性、耐HF性及び耐クラック性に優れると共に、下地依存性及びパタ-ン依存性なく形成する薄膜の形成方法を提供する。【構成】 本発明による有機シラン-O3反応によるCVD-SiO2膜の形成方法は、まず始めに、13.5kPa以下の低圧下で薄膜の第1のCVD-SiO2膜31を形成し、続いて、上記低圧より高い圧力つまり13.5kPa〜大気圧以下の高圧下で第2のCVD-SiO2膜32を形成する。

Claim (excerpt)：

有機シランとオゾンとの反応によるCVD法によりシリコン酸化膜を形成する際に、13.5kPa以下の圧力下で第1のシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、13.5kPaより大きく大気圧以下の圧力下で第2のシリコン酸化膜を上記第1のシリコン酸化膜上に形成する第2の工程とを具備することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76