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J-GLOBAL ID：200903071242856791

電子エネルギー損失微細構造測定方法および装置

Inventor： 生垣 哲郎 ,  藤川 高志
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  東ソー株式会社 ,  藤川 高志 ,  宇佐美 誠二
Agent (1)： 本多 小平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992142727
Publication number (International publication number)：1993332959
Application date： Jun. 03, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 双極子近似を含み、更に一般性のある電子エネルギー損失微細構造(EELFS)の理論を確立して、非弾性散乱を生ずる原子とこの原子に対して様々な方向に存在する原子とに関する情報を得て、EELFSを測定する。【構成】 試料表面に入射させる電子の入射角を変化させるかあるいは試料表面において非弾性散乱された電子の検出角を変化させることで、試料表面に入射させた電子線の運動量ベクトルと試料表面において非弾性散乱された電子の運動量ベクトルとの差である運動量変化ベクトルの方向を変化させて、非弾性散乱原子に対して特定の方向に存在する原子に関するEFLFSを検出する。

Claim (excerpt)：

電子を試料表面に入射させ、前記試料表面において非弾性散乱された電子のエネルギーを分析することにより電子エネルギー損失微細構造を測定する方法において、試料表面に入射させた電子の運動量ベクトルと試料表面において非弾性散乱された電子の運動量ベクトルとの差である運動量変化ベクトルの方向を変化させて、非弾性散乱原子の周囲に存在する原子のうち、非弾性散乱原子に対して特定の方向に存在する原子に関係する電子エネルギー損失微細構造を検出することを特徴とする電子エネルギー損失微細構造測定方法。