プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板及び電極板製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐々木聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004025007
Publication number (International publication number)：2004363552
Application date： Feb. 02, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】プラズマ処理装置においてプラズマ密度の均一化を効率的に達成すること。【解決手段】サセプタ12の主面上で凸部70は、上部電極側つまりプラズマ側に向って突出しているので、主面の底面部12aよりも低いインピーダンスでプラズマと電気的に結合する。このため、サセプタ12の主面の表面層を流れる高周波電流によって運ばれる高周波電力は主として凸部70の頂面からプラズマに向けて放出される。サセプタ12の主面上で凸部70のインピーダンスZ70と底面部12aのインピーダンスZ12aとの比率Z12a/Z70を大きくするために、凸部70の周り(底面部12aの上)に誘電体72が設けられる。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

減圧可能な処理容器内に第1の電極を設け、前記処理容器内に高周波電界を形成するとともに処理ガスを流し込んで前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記第1の電極の主面に前記プラズマが生成される空間側に向って突出する多数の凸部を離散的に設けるプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/205 , H05H1/46

FI (4)：

H01L21/302 101B , C23F4/00 A , H01L21/205 , H05H1/46 M

F-Term (32)：

4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DM06 , 4K057DM16 , 4K057DM28 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA06 , 5F004BA07 , 5F004BA08 , 5F004BB11 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004BD05 , 5F004CA08 , 5F004CB07 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH14 , 5F045EH16 , 5F045EH19 , 5F045EJ02 , 5F045EM02 , 5F045EM05 , 5F045EM09 , 5F045GB15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

プラズマ処理装置およびそれに用いられる電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-126878 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (16)

プラズマCVD装置用サセプタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-163571 Applicant：日本エー・エス・エム株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-326840 Applicant：住友金属工業株式会社
高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-191179 Applicant：アネルバ株式会社, 菅原實

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