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J-GLOBAL ID：200903071248351500

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 鈴木 篤
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001112206
Publication number (International publication number)：2002313943
Application date： Apr. 11, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 しきい値電圧が低いもので異なる種類の金属ゲート電極を持つPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを、簡単な製造方法によって形成することができるような構成とする。【解決手段】 Pチャネルトランジスタ1とNチャネルトランジスタ2とを有する半導体装置であって、Pチャネルトランジスタ1のゲート電極21はレニウムからなり、Nチャネルトランジスタ2のゲート電極31はレニウムチタン合金からなるものである。

Claim (excerpt)：

PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを有する半導体装置であって、前記Pチャネルトランジスタのゲート電極はレニウムからなり、前記Nチャネルトランジスタのゲート電極はレニウムチタン合金からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/62 G

F-Term (66)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD33 ,  4M104DD65 ,  4M104DD80 ,  4M104DD82 ,  4M104DD83 ,  4M104DD94 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF38 ,  5F140BG04 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07