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J-GLOBAL ID：200903071265619711

磁気メモリ素子

Inventor： 田沼 俊雄 ,  吉岡 功一 ,  吉川 秀樹 ,  及川 悟 ,  高橋 誠一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999248297
Publication number (International publication number)：2001076479
Application date： Sep. 02, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 磁化容易軸方向及びこれと直交する磁化困難軸方向が設定された磁気抵抗効果膜10を含むメモリセルをマトリックス状に配置した磁気メモリ素子において、メモリセルに対する書き込み及び読み出しの際の動作電流を低減する。【解決手段】 メモリセルの磁化困難軸方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層5が設けられていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

磁化容易軸方向及びこれと直交する磁化困難軸方向が設定された磁気抵抗効果膜を含むメモリセルをマトリックス状に配置した磁気メモリ素子であって、前記メモリセルの磁化困難軸方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層が設けられていることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (3)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

FI (3)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

F-Term (9)：

5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049BA30