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J-GLOBAL ID：200903071300046894
半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149490
Publication number (International publication number)：1993343798
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 駆動時の熱クロストーク(相互熱干渉)を抑制する構造のマルチビーム半導体レーザを提供する。【構成】 熱抵抗の低いGaAs基板10上に、第一のクラッド層12、活性層13、第二のクラッド層14を少なくともこの順に成長させ、独立駆動構造の二つのレーザ共振器を形成するとともに、第一及び第二のクラッド層12、14を、熱抵抗の高いGaInP、AlGaInP、AlInPのいずれかを含む半導体混晶、又はGaInPとAlGaInPとAlInPとを混合して成る半導体混晶にて形成し、GaAs基板10との熱抵抗比を従来よりも大にした。
Claim (excerpt)：
第一導電型GaAs基板上に、第一導電型半導体混晶の第一のクラッド層と、アンドープ半導体混晶の活性層と、第二導電型半導体混晶の第二のクラッド層とが少なくともこの順に形成され、更に、前記第二のクラッド層表面を電流ブロック層にて所定間隔に分離された複数のストライプ領域となし、独立駆動構造の複数のレーザ共振器が形成された半導体レーザにおいて、前記第一及び第二のクラッド層が、GaInP、AlGaInP、AlInPのいずれかを含む半導体混晶であることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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