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J-GLOBAL ID：200903071311044788
太陽電池素子およびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003205207
Publication number (International publication number)：2005050983
Application date： Jul. 31, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】電極を反射防止膜の上から焼き付けた後、酸処理工程と電極表面に半田層の被覆を行わずに、従来と同様の出力特性を得て、さらに長期信頼性の低下を起こすことのない低コストな太陽電池素子を提供することを目的とする。【解決手段】一導電型を呈する半導体基板の表面側に逆導電型の拡散層を有し、その上に反射防止膜と表面電極を設けると共に、裏面側に裏面電極を設けた太陽電池素子において、前記表面電極および/または裏面電極が銀を主成分とし、Ti、Co、Mg、Bi、Zn、Zr、Fe、Crもしくはその化合物のうちいずれか一種または複数種を前記銀100重量部に対して金属換算で0.05〜5重量部含有すると共にハロゲン化合物を0.1〜10重量部含有することを特徴とする太陽電池素子。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一導電型を呈する半導体基板の表面側に逆導電型の拡散層を有し、その上に反射防止膜と表面電極を設けると共に、裏面側に裏面電極を設けた太陽電池素子において、前記表面電極および/または裏面電極が銀を主成分とし、Ti、Co、Mg、Bi、Zn、Zr、Fe、Crもしくはその化合物のうちいずれか一種または複数種を前記銀100重量部に対して金属換算で0.05〜5重量部含有すると共にハロゲン化合物を0.1〜10重量部含有することを特徴とする太陽電池素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (9)：
5F051AA03
, 5F051BA14
, 5F051BA18
, 5F051CB12
, 5F051CB20
, 5F051DA03
, 5F051FA10
, 5F051GA04
, 5F051HA03
Cited by examiner (3)
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太陽電池素子およびその形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-143382
Applicant：京セラ株式会社
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太陽電池素子の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-130758
Applicant：京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社
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導電性ペースト
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-018617
Applicant：シャープ株式会社
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