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J-GLOBAL ID：200903071312284987

高電気比抵抗磁性薄膜

Inventor： 大沼 繁弘 ,  三谷 誠司 ,  増本 健 ,  藤森 啓安
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995088565
Publication number (International publication number)：1996250330
Application date： Mar. 09, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、Co,AlおよびOよりなる磁性薄膜およびそれを基本膜とする多層膜に関するもので、その目的とするところは、高い電気比抵抗を有し、室温で3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し、且つ優れた磁場依存性を示す良好な磁性薄膜を得ることにあり、さらにこの磁性薄膜を用いたMRヘッドおよびMRセンサーを提供しようとするものである。【構成】一般式Co<SB>100</SB>-x-yAlxOyで表わされ、その組成比xおよびyは、原子比で10<x<30,20<y<50で、且つ30<x+y<70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を有することを特徴とする高電気比抵抗磁性薄膜。

Claim (excerpt)：

一般式Co<SB>100</SB>-x-yAlxOyで表わされ、その組成比xおよびyは、原子比で10<x<30,20<y<50で、且つ30<x+y<70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を有することを特徴とする高電気比抵抗磁性薄膜。