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J-GLOBAL ID：200903071313878473
原子層蒸着工程を用いた金属層形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998321316
Publication number (International publication number)：1999238698
Application date： Oct. 26, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：
【要約】【課題】 段差塗布性に優れ、高集積半導体素子に適した原子層蒸着工程を用いた金属層の形成方法を提供する。【解決手段】 金属を含有する前駆体及び還元ガスを反応させ、半導体基板上に犠牲金属原子層を形成するとともに、犠牲金属原子層と反応し得る金属ハロゲン化合物ガスを用い半導体基板上に金属ハロゲン化合物ガスから分解した金属原子がデポジットされた金属原子層を形成することを特徴とする。さらに本発明は、金属原子層上にシリコンソースガスを用いシリコン原子層をさらに形成することにより、金属原子層とシリコン層とを切り換えて積層させる。これにより、半導体基板上に段差塗布性に優れた金属層または金属シリサイド層を形成することができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に犠牲金属原子層を形成する段階と、前記犠牲金属原子層を金属ハロゲン化合物ガスと反応させることにより、前記犠牲金属原子層を除去するとともに、前記半導体基板上に前記金属ハロゲン化合物ガスより分解した金属原子がデポジットされた金属原子層を形成する段階と、前記半導体基板と接触する金属原子層上に前記犠牲金属原子層及び前記金属原子層を少なくとも1回以上切り換えて反復的に形成することにより、前記半導体基板上に複数の金属原子層を順次積層させる段階とを含むことを特徴とする金属層の形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/28 301
, C23C 14/06
, C23C 16/06
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
H01L 21/28 301 R
, C23C 14/06 M
, C23C 16/06
, H01L 21/285 Z
, H01L 21/88 B
