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J-GLOBAL ID：200903071314487320
液晶光学素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991207697
Publication number (International publication number)：1993061023
Application date： Aug. 20, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【構成】 本液晶素子は、透明導電膜82、86を表面にコーティングした基板81、87を透明導電膜が内側となるようにして組み合わせる事によって負の誘電率異方性を持つ液晶球84が分散している光硬化性化合物83を狭持する構造をとる。液晶球84と光硬化性化合物83からなる調光層は光の照射によって固体化する際に液晶のフレデリックス転移点より十分に強い磁界を印加しながら、光を照射して固体化する事によって液晶分子を電圧無印加状態において基板と垂直に配向し、電圧を印加する事によって基板と水平に配向する。【効果】 以上の結果、本発明による液晶素子によれば光散乱度を理論的に最大の値とすると同時に、電圧無印加時に透明状態、電圧印加時に光散乱状態となる高分子分散型液晶素子を提供する事が可能である。
Claim (excerpt)：
電極層を有する少なくとも一方が透明な2枚の基板間に、光硬化性化合物と、誘電率異方性が負または正負両方の値をとることのできる液晶材料とを狭持してなる液晶光学素子であって、前記液晶材料の光硬化性化合物との界面が前記基板と垂直な方向に配向していることを特徴とする液晶光学素子。
IPC (3)：
G02F 1/1333
, G02F 1/133 555
, G02F 1/137
