半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：布施行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000383440
Publication number (International publication number)：2002184985
Application date： Dec. 18, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】縦型MOS電界効果トランジスタの高耐圧化を図ること。【解決手段】縦型MOS電界効果トランジスタ1は、P-型シリコン単結晶領域15とN型シリコン単結晶領域17とが、シリコン基板上で交互に並んだ構造である、スーパージャンクション構造部13を備えている。電極部31は、スーパージャンクション構造部13の終端13b1と距離を設けた位置にあり、かつ、周辺部13bを構成するP型シリコン単結晶領域15(15a)と電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、第1導電型の半導体基板と、電極部と、前記半導体基板と前記電極部との間に位置し、第1導電型の第1半導体領域と第2導電型の第2半導体領域とが、前記半導体基板上で交互に並ぶ構造部と、を備え、前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、前記構造部は、前記縦型半導体素子の形成部と、前記形成部の周辺に位置し、前記構造部の終端を含む周辺部と、を含み、前記電極部は、前記構造部の終端と距離を設けた位置にあり、かつ、前記周辺部を構成する前記第2半導体領域と電気的に導通されている、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653

FI (4)：

H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 653 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

電力用半導体素子及び半導体層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-073282 Applicant：株式会社東芝

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