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J-GLOBAL ID：200903071332466925
GaN系基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996338444
Publication number (International publication number)：1998178202
Application date： Dec. 18, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：
【要約】【課題】 厚膜のGaN系結晶層を形成した後においてもバッファー層の消失の程度が少なく、GaN系結晶層の形成後にバッファー層のエッチングによるGaN系結晶層とサファイア基板との分離が容易であって高歩留りにてGaN系結晶基板を製造し得る方法を提供すること。【解決手段】 サファイアなどの種基板の上にZnOなどの二族酸化物からなるバッファー層を形成し、その上に低温下でInX GaY AlZ Nからなるキャップ層を形成し、さらにその上に厚膜のInX GaY AlZ N層を形成することを特徴とするGaN系基板の製造方法。【効果】 高品質且つ大面積のGaN系基板を容易にしかも高歩留りにて製造することができる。このGaN系基板は、青色発光素子の製造に好適である。
Claim (excerpt)：
種基板の上に二族酸化物からなるバッファー層を形成し、その上に低温下でInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなるキャップ層を形成し、さらにその上に厚膜のInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)層を形成することを特徴とするGaN系基板の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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