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J-GLOBAL ID：200903071337152830

薄膜形成方法

Inventor： 佐藤 新治 ,  伊藤 彰浩 ,  羽賀 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 小松 秀岳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991067545
Publication number (International publication number)：1993202480
Application date： Mar. 08, 1991
Publication date： Aug. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 従来より低い基板温度で優れた鉛含有酸化物層を形成する方法を提供しようとするものである。【構成】 有機鉛化合物と酸素又は酸素含有ガスとを加熱下に反応させることによって、基体上に鉛を含む酸化物薄膜を形成させる方法において、有機鉛化合物として芳香族鉛化合物を用いる薄膜形成方法である。特に不飽和炭化水素化合物と鉛からなる有機鉛化合物と酸素含有ガスとを反応させる際に加熱と同時に熱以外のエネルギーを作用させることによって低い温度で薄膜が形成できる。

Claim (excerpt)：

有機鉛化合物と酸素又は酸素含有ガスとを加熱下で反応させることによって、基板上に鉛を含む酸化物薄膜を形成させる方法において、有機鉛化合物として不飽和炭化水素化合物と鉛からなる有機鉛化合物を用いることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/18 ,  H01B 3/00