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J-GLOBAL ID：200903071337529780

単結晶炭化ケイ素層の製造方法

Inventor： クリストフ・ショルツ
Applicant, Patent owner： ツェーエス・ハルプライター・ウント・ゾラールテクノロジー・ゲーエムベーハー
Agent (1)： 竹内 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992081651
Publication number (International publication number)：1994024900
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 通常ウェーハ径の単結晶SiC層を得る。【構成】 単結晶SiC層を製造するために、所望の層厚に達するまで原子層エピタクシーにより、単結晶シリコン基板層(1)の片側に炭化ケイ素(4,5)を成長させる。次に加熱を続けて、溶融、気化またはエッチングによりSi基板層(1)を取り除く。

Claim (excerpt)：

高温にて、単結晶シリコン層の片側だけに単結晶炭化ケイ素層をエピタキシャル成長させることによる、単結晶炭化ケイ素層の製造方法であって、単結晶炭化ケイ素層の成長後、予め冷却することなくシリコン層が取り除かれることを特徴とする方法。

IPC (4)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/22 ,  C30B 33/00