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J-GLOBAL ID：200903071375636298

SiC半導体素子

Inventor： 八幡 彰博
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000077213
Publication number (International publication number)：2001267589
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】 低いオン電圧のSiC半導体素子を実現すること。【解決手段】 SiC基板に溝を掘り、この溝に電極を埋め込むこと。

Claim (excerpt)：

少なくとも、第1導電型SiC基板と、この第1導電型SiC基板上に形成された第1導電型SiCエピタキシャル層を持つSiC半導体素子において、第1導電型SiCエピタキシャル層の反対側の第1導電型SiC基板に溝が掘られ、この溝に電極が埋め込まれていることを特徴とするSiC半導体素子。

IPC (9)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (9)：

H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/44 C ,  H01L 29/46 F ,  H01L 29/74 J ,  H01L 29/80 U ,  H01L 29/91 C

F-Term (25)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104FF06 ,  4M104FF27 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005BB01 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02 ,  5F102FA02 ,  5F102GA14 ,  5F102GB00 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02