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J-GLOBAL ID：200903071381790657
ドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996126616
Publication number (International publication number)：1997312280
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 デュアルゲート構造のn型,p型多結晶シリコンを同一エッチング工程で加工すると、エッチングレートの差によりp型多結晶シリコンのエッチング残りを生じるかn型多結晶シリコン側の下地が過剰にエッチングされた。【解決手段】 基板上に形成した膜質の異なる被エッチング膜をプラズマ中で同時にエッチングするドライエッチング方法において、被エッチング膜の一方の膜質を有する部分(例えばn型多結晶シリコン膜)のエッチングレートと被エッチング膜の他方の膜質を有する部分(例えばp型多結晶シリコン膜)のエッチングレートとの差を小さくする方向に被エッチング膜に入射する負イオン量を、多結晶電子温度を変化させることによって制御する。
Claim (excerpt)：
基板上に形成した膜質の異なる被エッチング膜をプラズマ中で同時にエッチングするドライエッチング方法において、前記被エッチング膜の一方の膜質を有する部分のエッチングレートと前記被エッチング膜の他方の膜質を有する部分のエッチングレートとの差を小さくする方向に該被エッチング膜に入射する負イオン量を制御することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 C
