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J-GLOBAL ID：200903071385574240
ドライエッチング方法およびその装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992006605
Publication number (International publication number)：1993190506
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】この発明の目的は、被処理体の中央部と周縁部とでエッチング速度を均一化する。【構成】反応性ガスプラズマによって被処理体(26)をエッチングする際、第2の導入パイプ(32)によって、被処理体(26)のエッチング速度が速い領域に、エッチング反応により生成される複数の反応生成ガスのうち、少なくとも一種のガスを反応抑制ガスとして導入している。したがって、エッチング速度が速い領域のエッチング速度を抑制でき、被処理体(26)各部のエッチング速度を均一化することができる。
Claim (excerpt)：
反応性ガスプラズマによって被処理体をエッチングする際、被処理体のエッチング速度が速い領域に、エッチング反応により生成される複数の反応生成ガスのうち、少なくとも一種のガスを反応抑制ガスとして導入することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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