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J-GLOBAL ID：200903071403030163

電源電圧降下回路

Inventor： 谷本 順一 ,  山戸 進
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992170730
Publication number (International publication number)：1994019565
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高速応答の電源電圧降下回路を得ること。【構成】 基準電圧Vrefと、内部回路11に供給される内部電源電圧Vinとを入力とする差動増幅回路12と、該差動増幅回路12の出力をゲート信号とし、外部電源電圧Vexをドレイン信号とし、内部電源電圧Vinをソース信号とする電源パス用MOSFET13とを有し、該MOSFETは、そのスレッショルド電圧が殆ど0Vに近いNチャネルMOSFETである。

Claim (excerpt)：

外部から与えられる電源電圧を所定の電圧に降圧して内部電源電圧を発生し、内部回路に供給する電源電圧降下回路において、外部電源電圧ラインと上記内部回路との間に設けられる電源パス用MOSFETがNチャネルMOSFETであることを特徴とする電源電圧降下回路。