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J-GLOBAL ID:200903071405653702

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992002167
Publication number (International publication number):1993190770
Application date: Jan. 09, 1992
Publication date: Jul. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置に関し、半導体チップの電極と半導体チップの電極を電気的に接続する際、α線の影響をほとんど受けることなく多ピン化することができ、素子信頼性を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体チップに形成された電極と半導体チップに形成された電極とが非接触で電気的に接続されてなるように構成する。
Claim (excerpt):
半導体チップに形成された電極と半導体チップに形成された電極とが非接触で電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 27/04 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

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