半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060419
Publication number (International publication number)：2001332729
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明はターンオフ損失を増大させることなくオン抵抗を低減できるIGBT構造、また、高温時でもターンオフ損失を減少できるIGBT構造を提供することを目的とする。【解決手段】バイポーラモードで動作するトランジスタにおいて、Nバッファ層4の層厚を20μm〜40μm、好ましくは40μmとし、ピーク濃度を1×1015cm-3〜1×1016cm-3、好ましくは1×1016cm-3とする。Pエミッタ層5の層厚を5μm以下、好ましくは1μmとし、ピーク濃度を7×1017cm-3とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型のエミッタ層と、前記第1導電型のエミッタ層上に形成された第2導電型のバッファ層と、前記第2導電型のバッファ層上に形成された第2導電型のベース層と、前記第2導電型のベース層上部に選択的に形成された第1導電型のベース領域と、前記第1導電型のベース領域上部に選択的に形成された第2導電型のエミッタ領域と、前記第1導電型のベース領域をチャネル領域として、前記第2導電型のベース層と前記第2導電型のエミッタ領域との間を導通するためのゲート電極と、前記第1導電型のベース領域及び前記第2導電型のエミッタ領域上に形成されたエミッタ電極と、前記第1導電型エミッタ層の前記第2導電型のバッファ層形成面と反対の面上に形成されたコレクタ電極と、を有し、前記第2導電型のバッファ層のピーク濃度が1×1015cm-3乃至1×1016cm-3であり、前記第2導電型のバッファ層のピーク濃度と前記第1導電型のエミッタ層のピーク濃度との差が2桁以下であることを特徴とするバイポーラモードで動作する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/78 655 B , H01L 29/78 655 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-195592 Applicant：富士電機株式会社

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