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J-GLOBAL ID：200903071411341526

Pt膜のエッチング方法

Inventor： 横山 誠一 ,  伊藤 康幸 ,  大西 茂夫 ,  工藤 淳 ,  崎山 恵三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994175364
Publication number (International publication number)：1996045905
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【構成】 Pt膜5上にPZT膜6を成膜し、次にPZT膜6上にマスクとなるSOG膜8をパターニングし、PZT膜6のエッチングを行う。そして、ECRプラズマエッチング装置を用いて、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスでPt膜5をエッチングした後、HCl水溶液のウエットエッチングにより、PZT膜6及びPt膜に堆積した側壁デポ膜9を除去する。【効果】 テーパのない高い異方性を有するエッチングができ、寸法シフトもなく高精度にPt膜の微細加工が可能となる。

Claim (excerpt)：

Pt膜上に耐エッチング膜をパターニングし、耐エッチング膜に覆われていない領域の上記Pt膜をエッチングする、Pt膜のエッチング方法において、上記Pt膜を成膜後、該Pt膜上に上記耐エッチング膜としてシリコン酸化膜を成膜し、パターニングする工程と、エッチングガスとして、酸素ガスと塩素ガス又塩化物ガスとの混合ガスを用いて、上記シリコン酸化膜及び上記Pt膜の側壁にPtClxOy又は、PtClxとPtOyとの混合物を形成させながら、上記シリコン酸化膜をエッチングマスクとしてエッチングする工程と、上記エッチング後、酸によるウエットエッチングにより、上記PtClxOy又は、PtClxとPtOyとの混合物を除去する工程とを有することを特徴とする、Pt膜のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/00 102 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 S