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J-GLOBAL ID：200903071439993944

光情報装置及びその製造方法

Inventor： 和泉 良弘 ,  藤原 小百合 ,  波多野 晃継 ,  山元 良高
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993320333
Publication number (International publication number)：1995175080
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 光情報装置において特性の経時変化が少ないようにする。【構成】 光照射あるいは電界印加などの外部刺激によって安定化が図られた、即ちSW効果を積極的に導入した、半導体としてのa-Si:Hからなる光スイッチング素子4を備えている。このため、特性の経時変化を減少させ得、安定した性能を得ることができると共に、使用する半導体の光信号に対する感度(オン/オフ)が向上し、高性能化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

光導電効果または光起電力効果を生じる半導体を備えた光情報装置において、該半導体が外部刺激を受けており、該半導体の光導電率及び暗導電率が、該外部刺激を受ける前における光導電率及び暗導電率の初期値の20%以下である光情報装置。

IPC (5)：

G02F 1/135 ,  G09F 9/33 ,  H01L 21/145 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/0248

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-236121
  
• 特開平1-173016
  
• 特開平4-356024
  
• 特開昭60-263121