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J-GLOBAL ID：200903071454801822

ZnO半導体薄膜及びZnO薄膜トランジスタの製造方法、並びにその方法を適用したZnO薄膜トランジスタ

Inventor： 金 昌 ▲ジュン▼ ,  宋 利 憲 ,  姜 東 勳 ,  朴 永 洙 ,  李 銀 河
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  堀川 かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007097075
Publication number (International publication number)：2007284342
Application date： Apr. 03, 2007
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：

【課題】ZnO半導体薄膜及びZnO薄膜トランジスタの製造方法、並びにその方法を適用したZnO薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】酸素雰囲気で基板上にZnO薄膜を形成する工程と、ZnO薄膜上に酸素親和的な金属による酸素拡散層を形成する工程と、ZnO薄膜及び酸素拡散層を熱処理して、ZnO薄膜に含まれた酸素を酸素拡散層に拡散させる工程と、を含むことを特徴とするZnO半導体薄膜の製造方法である。また、ZnOで形成された半導体チャンネルと、前記半導体チャンネルの両側に設けられ、前記半導体チャンネルに接触する酸素親和性金属による導電性の酸素拡散層を有するソース電極及びドレイン電極と、前記半導体チャンネルに電界を形成するためのゲートと、前記ゲートと半導体チャンネルとの間に介在されるゲート絶縁層と、を備えることを特徴とするZnO薄膜トランジスタである。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸素雰囲気で基板上にZnO薄膜を形成する工程と、 前記ZnO薄膜上に酸素親和性な金属による酸素拡散層を形成する工程と、 前記ZnO薄膜及び酸素拡散層を熱処理して、前記ZnO薄膜に含まれた酸素を前記酸素拡散層に拡散させる工程と、を含むことを特徴とするZnO半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C01G 9/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

C01G9/02 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A

F-Term (33)：

4G047AA02 ,  4G047AB06 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK50 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第6,808,743号明細書
  
• 米国特許第6,664,565号明細書