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J-GLOBAL ID:200903071457103123
強誘電体と強磁性体との複合体及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000338251
Publication number (International publication number):2002118237
Application date: Nov. 06, 2000
Publication date: Apr. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】セラミック強誘電体の強誘電性とセラミック強磁性体の強磁性とを兼備しメモリー素子などとして用いることを可能とする強誘電体と強磁性体との複合体の製造方法を提供する。【解決手段】本方法は、強誘電体セラミックスを合成する段階と;前記強誘電体セラミックスを粉砕し強誘電体セラミック粉末に製造する段階と;強磁性体セラミックスを合成する段階と;前記強磁性体セラミックスを粉砕し強磁性体セラミック粉末に製造する段階と;前記強誘電体セラミック粉末と強磁性体セラミック粉末とを混合する段階と;前記強誘電体セラミック粉末と強磁性体セラミック粉末との混合物を加圧成形する段階とを含む。
Claim (excerpt):
強誘電体セラミックスを合成する段階と;前記強誘電体セラミックスを粉砕し強誘電体セラミック粉末に製造する段階と;強磁性体セラミックスを合成する段階と;前記強磁性体セラミックスを粉砕し強磁性体セラミック粉末に製造する段階と;前記強誘電体セラミック粉末と強磁性体セラミック粉末とを混合する段階と;前記強誘電体セラミック粉末と強磁性体セラミック粉末との混合物を加圧成形する段階とを含むことを特徴とする強誘電体と強磁性体との複合体の製造方法。
IPC (2):
FI (3):
H01F 1/34 A
, H01L 27/10 444 C
, H01L 27/10 447
F-Term (8):
5E041AB14
, 5E041AB19
, 5E041HB05
, 5E041NN02
, 5E041NN12
, 5E041NN15
, 5F083FR01
, 5F083FZ10
Patent cited by the Patent:
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