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J-GLOBAL ID：200903071460236428
薄膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991350779
Publication number (International publication number)：1993163575
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jun. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 絶縁性基体上に直流グロ-放電プラズマCVD法により、簡便な装置で、大面積の均一な薄膜を隙間なく形成する。【構成】 絶縁性基体13上に導体薄膜14を設けて形成した基板17の外周を、環状の導体板16で覆い、導体板16の内周面と導体薄膜14の外周上部とを線接触させて、基板17と導体板16を同電位に保ち、ア-ク発生を防止し、直流グロ-放電プラズマCVD法により基板17上に所望の薄膜15を形成する。
Claim (excerpt)：
絶縁性基体上に導体薄膜が形成された基板の外周を環状の導体板で覆い、前記導体薄膜の全外周端部で前記導体板と線接触させることにより基板と導体板を同電位に保持しつつ基板上に直流グロ-放電プラズマ気相成長法によって薄膜を堆積させることよりなり、前記導体板は、前記基板の外周より大径の内周端と、前記基板の外周より小径の内周端とを有し、その径が連続的に変化する内周面を有することを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (4)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H05H 1/32
, H01L 21/31
