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J-GLOBAL ID:200903071464124276
増幅型固体撮像装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999046187
Publication number (International publication number):2000244818
Application date: Feb. 24, 1999
Publication date: Sep. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 増幅型固体撮像装置に於ける画素リーク電流を低減できる回路技術を提供すること。【解決手段】 画素が複数配列され、各画素は、それぞれ、光電変換用フォトダイオード5、信号増幅用の第1のMOSトランジスタ101、前記光電変換用フォトダイオード5に蓄積した信号電荷をリセットするための第2のMOSトランジスタ102、及び画素選択用の第3のMOSトランジスタ103を有する増幅型固体撮像装置において、前記第1及び第3のMOSトランジスタ101及び103が直列接続された一端が信号線13に、他端が電源線14(VD)に接続され、前記第2のMOSトランジスタ102は、一端が前記光電変換用フォトダイオード5に、他端が前記電源電圧VDより低電圧の電源電圧VPに接続され、前記第1のMOSトランジスタ101はデプレッション型であるように構成される。
Claim (excerpt):
画素が複数配列され、各画素は、それぞれ、光電変換領域、信号増幅用の第1のMOSトランジスタ、前記光電変換領域に蓄積した信号電荷をリセットするための第2のMOSトランジスタ、及び画素選択用の第3のMOSトランジスタを有する増幅型固体撮像装置において、前記第1及び第3のMOSトランジスタが直列接続された両端の何れか一方が信号線に、他端が第1の電源に接続され、前記第2のMOSトランジスタは、一端が前記光電変換領域に、他端が前記第1の電源より低電圧の第2の電源に接続され、前記第1のMOSトランジスタはデプレッション型であることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
IPC (2):
FI (2):
H04N 5/335 E
, H01L 27/14 A
F-Term (14):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118DD09
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 5C024AA01
, 5C024CA00
, 5C024FA01
, 5C024FA11
, 5C024GA01
, 5C024GA31
, 5C024GA33
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